芯联集成推出 3300V SiC MOSFET，大幅降低固态变压器整机成本

A 股功率半导体企业芯联集成发布全新3300V SiC MOSFET，产品依托自研 8 英寸碳化硅工艺平台打造，专为固态变压器等高功率高压场景定制，现已送至核心客户开展样品验证。

这款器件采用自研高压平面栅 SiC 工艺，单元面积更小，导通电阻与栅电荷综合优值表现突出，开关、导通性能实现优化，补齐国内固态变压器功率级高压碳化硅器件供给缺口，也是企业在 AI 算力电源赛道的重要技术落地成果。

对比行业主流 1200V 器件方案，3300V 产品应用在 10kV 中压固态变压器前端优势明显。母线电压可提升至 1800 至 2200V，器件级联数量减少六成，功率单元、MOSFET 用量同步缩减六成，配套外围元器件削减七成，PCB 布线结构大幅简化，装配与控制环节开支同步下降，整套设备物料综合成本可降低 20% 至 35%，助力固态变压器小型化、高频化、高效率升级。

为完善固态变压器配套产业链，芯联集成后续还会推出适配该款 MOSFET 的高频高耐压磁性元器件。

目前芯联集成已搭建 650V 到 3300V 全电压等级 SiC MOSFET 产品矩阵，第二代 G2.0 碳化硅工艺在能效、可靠性层面完成迭代，8 英寸 SiC 产线实现大批量稳定量产。依据 Yole 今年 3 月 2025 年行业榜单，芯联集成国内 SiC 器件出货排名第一，位列全球前五。

当下生成式 AI 算力需求持续扩张，单机柜功率逐步迈向兆瓦级，行业推进 800V 高压直流供电架构，固态变压器成为 AI 数据中心供电系统核心部件，同时广泛应用于新能源、智能电网场景，带动高压碳化硅器件需求持续释放。企业依托 3300V SiC 器件布局固态变压器增量市场，国产高压宽禁带半导体逐步摆脱追赶定位，赋能新型电力系统智能化低碳升级。

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